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Improving the RF performance of 0.18 μm CMOS with deep n-well implantation
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An investigation on RF CMOS stability related to bias and scaling
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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The extraction of MOSFET gate capacitance from S-parameter measurements
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
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Improving the RF performance of 0.18 mu m CMOS with deep n-wellimplantation
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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