-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
Optimized cleaning method for producing device quality InP(100) surfaces
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
6
-
7
-
8
Large Schottky barrier heights on n-InP : a novel approach
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
9
-
10
Fermi level movement at the Cs/GaAs (110) interfaces
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
11
One monolayer of Sb or Bi used as a buffer layer preventing oxidation of InP
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
12
-
13
Quantum Efficiency and Radiative Lifetime in p -Type Gallium Arsenide
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
14
Photoemission and Related Properties of the Alkali-Antimonides
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
15
Photoemission From Activated GaN
Veröffentlicht in Bulletin of the American Physical Society
VolltextArtikel -
16
Experimental Determination of the Density of States in Nickel
Veröffentlicht in Physical review
VolltextArtikel -
17
Schottky-barrier formation and metallicity
Veröffentlicht in Physical review letters
VolltextArtikel -
18
Schottky barrier formation on InP(110) passivated with one monolayer of Sb
Veröffentlicht in Applied surface science
VolltextArtikel -
19
-
20