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Dry Etched Waveguide Laser Diode on GeOI
Veröffentlicht in IEEE journal of selected topics in quantum electronics
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Direct bandgap photoluminescence from n-type indirect GaInP alloys
Veröffentlicht in Photonics research (Washington, DC)
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Growth of InAs0.32Sb0.68 on GaAs using a thin GaInSb buffer and strain superlattice layers
Veröffentlicht in AIP advances
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Reduction of threading dislocation density in Ge/Si using a heavily As-doped Ge seed layer
Veröffentlicht in AIP advances
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