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METHOD OF ALUMINIUM AND SILICON OXIDES COMBINED THIN LAYERS PRODUCTION IN INTERFERENCE SYSTEMS OF LAYERS FOR 2,7 TILL 3,5 MICROMETER WAVELENGTH RANGE
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METHOD OF ALUMINIUM AND SILICON OXIDES COMBINED THIN LAYERS PRODUCTION IN INTERFERENCE SYSTEMS OF LAYERS FOR 2,7 TILL 3,5 MICROMETER WAVELENGTH RANGE
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SCINTILLATION DETECTOR OF LOW-ENERGETIC BETA RADIATION AND ELECTRONES WITH DIEELECTRIC LAYERS
von
KVAPIL JIRI DRSC.,CS
,
PERNER BOHUMIL CSC.,CS
,
AUTRATA RUDOLF CSC.,CS
,
SKODA VACLAV RNDR.,CS
,
BLAZEK KAREL ,CS
,
KVAPIL JOSEF CSC.,CS
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SCINTILLATION DETECTOR OF LOW-ENERGETIC BETA RADIATION AND ELECTRONES WITH DIEELECTRIC LAYERS
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KVAPIL JIRI DRSC.,CS
,
PERNER BOHUMIL CSC.,CS
,
AUTRATA RUDOLF CSC.,CS
,
SKODA VACLAV RNDR.,CS
,
BLAZEK KAREL ,CS
,
KVAPIL JOSEF CSC.,CS
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PROCESS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALS FOR MAKING THIN SECTIONS WITH ADVANTAGE ORIENTATED DIRECTION OF LIGHT PASSAGE
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,
KVAPIL JIRI DRSC.,CS
,
PERNER BOHUMIL CSC.,CS
,
SKODA VACLAV RNDR.,CS
,
KVAPIL JOSEF CSC.,CS
,
KOSELJA MICHAL ,CS
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PROCESS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALS FOR MAKING THIN SECTIONS WITH ADVANTAGE ORIENTATED DIRECTION OF LIGHT PASSAGE
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JOHN VACLAV CSC.,CS
,
KVAPIL JIRI DRSC.,CS
,
PERNER BOHUMIL CSC.,CS
,
SKODA VACLAV RNDR.,CS
,
KVAPIL JOSEF CSC.,CS
,
KOSELJA MICHAL ,CS
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Esp@Cenet
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