Enhanced injection efficiency and light output in bottom tunnel-junction light-emitting diodes von Bharadwaj, Shyam, Miller, Jeffrey, Lee, Kevin, Lederman, Joshua, Siekacz, Marcin, Xing, Huili Grace, Jena, Debdeep, Skierbiszewski, Czesław, Turski, Henryk

Volltext

Optical properties of N-polar GaN: The possible role of nitrogen vacancy-related defects von Tatarczak, Piotr, Turski, Henryk, Korona, Krzysztof P., Grzanka, Ewa, Skierbiszewski, Czesław, Wysmołek, Andrzej

Volltext

Evolution of a dominant light emission mechanism induced by changes of the quantum well width in InGaN/GaN LEDs and LDs von Pieniak, Katarzyna, Trzeciakowski, Witold, Muzioł, Grzegorz, Kafar, Anna, Siekacz, Marcin, Skierbiszewski, Czesław, Suski, Tadeusz

Volltext

Bidirectional light-emitting diode as a visible light source driven by alternating current von Żak, Mikołaj, Muziol, Grzegorz, Siekacz, Marcin, Bercha, Artem, Hajdel, Mateusz, Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir, Lachowski, Artur, Chlipała, Mikołaj, Wolny, Paweł, Turski, Henryk, Skierbiszewski, Czesław

Volltext

Anomalous photocurrent in wide InGaN quantum wells von Bercha, Artem, Trzeciakowski, Witold, Muzioł, Grzegorz, Siekacz, Marcin, Skierbiszewski, Czesław

Volltext

Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures von Turski, Henryk, Chlipala, Mikolaj, Zdanowicz, Ewelina, Rogowicz, Ernest, Muziol, Grzegorz, Moneta, Joanna, Grzanka, Szymon, Kryśko, Marcin, Syperek, Marcin, Kudrawiec, Robert, Skierbiszewski, Czeslaw

Volltext

Bottom tunnel junction-based blue LED with a thin Ge-doped current spreading layer von Chlipała, Mikołaj, Turski, Henryk, Żak, Mikołaj, Muziol, Grzegorz, Siekacz, Marcin, Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir, Fiuczek, Natalia, Feduniewicz-Żmuda, Anna, Smalc-Koziorowska, Julita, Skierbiszewski, Czesław

Volltext

The influence of Fermi level position at the GaN surface on carrier transfer across the MAPbI3/GaN interface von Zdanowicz, Ewelina, Herman, Artur P, Przypis, Łukasz, Opołczyńska, Katarzyna, Serafińczuk, Jarosław, Chlipała, Mikołaj, Skierbiszewski, Czesław, Kudrawiec, Robert

Volltext

Electrically pumped blue laser diodes with nanoporous bottom cladding von Sawicka, Marta, Muziol, Grzegorz, Fiuczek, Natalia, Hajdel, Mateusz, Siekacz, Marcin, Feduniewicz-Żmuda, Anna, Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir, Wolny, Paweł, Żak, Mikołaj, Turski, Henryk, Skierbiszewski, Czesław

Volltext

Inhomogeneous broadening of optical transitions observed in photoluminescence and modulated reflectance of polar and non-polar InGaN quantum wells von Jarema, Michał, Gładysiewicz, Marta, Janicki, Łukasz, Zdanowicz, Ewelina, Turski, Henryk, Muzioł, Grzegorz, Skierbiszewski, Czesław, Kudrawiec, Robert

Volltext

Electrochemical etching of p-type GaN using a tunnel junction for efficient hole injection von Fiuczek, Natalia, Sawicka, Marta, Feduniewicz-Żmuda, Anna, Siekacz, Marcin, Żak, Mikołaj, Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir, Muzioł, Grzegorz, Wolny, Paweł, Kelly, John J., Skierbiszewski, Czesław

Volltext

Unusual step meandering due to Ehrlich-Schwoebel barrier in GaN epitaxy on the N-polar surface von Turski, Henryk, Krzyżewski, Filip, Feduniewicz-Żmuda, Anna, Wolny, Pawel, Siekacz, Marcin, Muziol, Grzegorz, Cheze, Caroline, Nowakowski-Szukudlarek, Krzesimir, Xing, Huili (Grace), Jena, Debdeep, Załuska-Kotur, Magdalena, Skierbiszewski, Czesław

Volltext

Elimination of leakage of optical modes to GaN substrate in nitride laser diodes using a thick InGaN waveguide von Muziol, Grzegorz, Turski, Henryk, Siekacz, Marcin, Grzanka, Szymon, Perlin, Piotr, Skierbiszewski, Czes aw

Volltext

Sensitivity of N-polar GaN surface barrier to ambient gases von Janicki, Łukasz, Misiewicz, Jan, Siekacz, Marcin, Turski, Henryk, Moneta, Joanna, Gorantla, Sandeep, Skierbiszewski, Czesław, Kudrawiec, Robert

Volltext

Nanostars in Highly Si-Doped GaN von Sawicka, Marta, Turski, Henryk, Sobczak, Kamil, Feduniewicz-Żmuda, Anna, Fiuczek, Natalia, Gołyga, Oliwia, Siekacz, Marcin, Muziol, Grzegorz, Nowak, Grzegorz, Smalc-Koziorowska, Julita, Skierbiszewski, Czesław

Volltext

InGaN blue light emitting micro-diodes with current path defined by tunnel junction von Gibasiewicz, Krzysztof, Bojarska-Cieślińska, Agata, Muzioł, Grzegorz, Skierbiszewski, Czesław, Grzanka, Szymon, Kafar, Anna, Perlin, Piotr, Najda, Stephen, Suski, Tadeusz

Volltext

Revealing inhomogeneous Si incorporation into GaN at the nanometer scale by electrochemical etching von Sawicka, Marta, Fiuczek, Natalia, Turski, Henryk, Muziol, Grzegorz, Siekacz, Marcin, Nowakowski-Szkudlarek, Krzesimir, Feduniewicz- muda, Anna, Wolny, Pawe, Skierbiszewski, Czes aw

Volltext

Investigation of interface abruptness and In content in (In,Ga)N/GaN superlattices von Chèze, Caroline, Siekacz, Marcin, Isa, Fabio, Jenichen, Bernd, Feix, Felix, Buller, Jakov, Schulz, Tobias, Albrecht, Martin, Skierbiszewski, Czeslaw, Calarco, Raffaella, Riechert, Henning

Volltext

Theoretical and Experimental Studies on Material Gain for Wide Polar InGaN Quantum Well‐Mechanism Leading to Electric Field Screening and Lasing von Gładysiewicz, Marta, Kudrawiec, Robert, Muzioł, Grzegorz, Turski, Henryk, Skierbiszewski, Czesław

Volltext

Laser diodes grown on porous GaN by plasma-assisted molecular beam epitaxy von Fiuczek, Natalia, Hajdel, Mateusz, Kafar, Anna, Muziol, Grzegorz, Siekacz, Marcin, Feduniewicz-Żmuda, Anna, Gołyga, Oliwia, Skierbiszewski, Czesław, Sawicka, Marta

Volltext