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Extracting the Oxide Capacitance Using Inductance–Capacitance–Resistance Meter Measurement on Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors
von
Lee, Woohyung
,
Shin, Jeshik
,
Yang, Hyundoek
,
Hwang, Hyunsang
Veröffentlicht in
Japanese Journal of Applied Physics
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Electrical Characteristics of High-k Metal Oxide/SiO[sub 2] Stack Gate Dielectric Prepared by Reaction of Metal with SiO[sub 2]
von
Shin, Jeshik
,
Jeon, Sanghun
,
Hwang, Hyunsang
Veröffentlicht in
Journal of the Electrochemical Society
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3
Electrical characteristics of high-k metal oxide/SiO2 stack gate dielectric prepared by reaction of metal with SiO2
von
SHIN, Jeshik
,
JEON, Sanghun
,
HWANG, Hyunsang
Veröffentlicht in
Journal of the Electrochemical Society
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Japanese Journal Of Applied Physics
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Japanese Journal Of Applied Physics Part 1-Regular Papers Short Notes & Review Papers
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Japanese Journal Of Applied Physics, Part 1: Regular Papers And Short Notes And Review Papers
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Jpn.j.appl.phys ,Part 1. Vol. 40, No. 9A, Pp. 5308-5309. 2001
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Schlagworte
Physical Sciences
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Science & Technology
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Applied Sciences
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Capacitance
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Design. Technologies. Operation Analysis. Testing
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Electrochemistry
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Electronics
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Physics
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Physics, Applied
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Semiconductor Electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid State Devices
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Technology
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Tunneling Current
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1
Erscheinungsjahr
Von:
Bis:
Quelle
Iopscience Extra
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Iop Publishing Journals
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2
Institute Of Physics (Iop) Journals - Heal-Link
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