Suchergebnisse - SHANBHAG, Kaustubh

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Integrated circuit structures with well boundary distal to substrate midpoint and methods to form the same von Workman, Glenn, Shanbhag, Kaustubh

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INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES WITH WELL BOUNDARY DISTAL TO SUBSTRATE MIDPOINT AND METHODS TO FORM THE SAME von Workman, Glenn, Shanbhag, Kaustubh

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Stacked field-effect transistors with a shielded output von Khokale, Shweta Vasant, Shanbhag, Kaustubh, Ethirajan, Tamilmani

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STACKED FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH A SHIELDED OUTPUT von Khokale, Shweta Vasant, Shanbhag, Kaustubh, Ethirajan, Tamilmani

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SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE IN-WELL POROUS REGION von Krishnasamy, Rajendran, Shanbhag, Kaustubh, Pandey, Shesh Mani, Holt, Judson R

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SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE IN-WELL POROUS REGION von Krishnasamy, Rajendran, Shanbhag, Kaustubh, Pandey, Shesh Mani, Holt, Judson R

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Semiconductor structure with shared well von Mulfinger, George R, Kozarsky, Eric S, Shanbhag, Kaustubh, Peng, Jianwei

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SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SHARED WELL von Mulfinger, George R, Kozarsky, Eric S, Shanbhag, Kaustubh, Peng, Jianwei

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DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES IN ACTIVE REGIONS von MULFINGER, George R, KOZARSKY, Eric S, ZHAN, Hui, ETHIRAJAN, Tamilmani, TOKRANOV, Anton V, SHANBHAG, Kaustubh

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DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES IN ACTIVE REGIONS von MULFINGER, George R, KOZARSKY, Eric S, ZHAN, Hui, ETHIRAJAN, Tamilmani, TOKRANOV, Anton V, SHANBHAG, Kaustubh

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GESTAPELTE FELDEFFEKTTRANSISTOREN MIT EINER ABGESCHIRMTEN AUSGABE von Khokale, Shweta Vasant, Shanbhag, Kaustubh, Ethirajan, Tamilmani

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Device with isolation structures in active regions von SHANBHAG, KAUSTUBH, TOKRANOV, ANTON V, MULFINGER, GEORGE R, ZHAN, HUI, ETHIRAJAN, TAMILMANI, KOZARSKY, ERIC S

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DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES IN ACTIVE REGIONS von ZHAN HUI, ETHIRAJAN TAMILMANI, SHANBHAG KAUSTUBH, KOZARSKY ERIC S, MULFINGER GEORGE R, TOKRANOV ANTON V

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Quantum modeling of nanoscale MOSFET von Shanbhag, K.R., Subramaniam, P.C.

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Integrated circuit structures with well boundary distal to substrate midpoint and methods to form the same von Workman, Glenn, Shanbhag, Kaustubh

INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES WITH WELL BOUNDARY DISTAL TO SUBSTRATE MIDPOINT AND METHODS TO FORM THE SAME von Workman, Glenn, Shanbhag, Kaustubh

Stacked field-effect transistors with a shielded output von Khokale, Shweta Vasant, Shanbhag, Kaustubh, Ethirajan, Tamilmani

STACKED FIELD-EFFECT TRANSISTORS WITH A SHIELDED OUTPUT von Khokale, Shweta Vasant, Shanbhag, Kaustubh, Ethirajan, Tamilmani

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEVICE INCLUDING AT LEAST ONE IN-WELL POROUS REGION von Krishnasamy, Rajendran, Shanbhag, Kaustubh, Pandey, Shesh Mani, Holt, Judson R

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Semiconductor structure with shared well von Mulfinger, George R, Kozarsky, Eric S, Shanbhag, Kaustubh, Peng, Jianwei

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH SHARED WELL von Mulfinger, George R, Kozarsky, Eric S, Shanbhag, Kaustubh, Peng, Jianwei

DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES IN ACTIVE REGIONS von MULFINGER, George R, KOZARSKY, Eric S, ZHAN, Hui, ETHIRAJAN, Tamilmani, TOKRANOV, Anton V, SHANBHAG, Kaustubh

DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES IN ACTIVE REGIONS von MULFINGER, George R, KOZARSKY, Eric S, ZHAN, Hui, ETHIRAJAN, Tamilmani, TOKRANOV, Anton V, SHANBHAG, Kaustubh

GESTAPELTE FELDEFFEKTTRANSISTOREN MIT EINER ABGESCHIRMTEN AUSGABE von Khokale, Shweta Vasant, Shanbhag, Kaustubh, Ethirajan, Tamilmani

Device with isolation structures in active regions von SHANBHAG, KAUSTUBH, TOKRANOV, ANTON V, MULFINGER, GEORGE R, ZHAN, HUI, ETHIRAJAN, TAMILMANI, KOZARSKY, ERIC S

DEVICE WITH ISOLATION STRUCTURES IN ACTIVE REGIONS von ZHAN HUI, ETHIRAJAN TAMILMANI, SHANBHAG KAUSTUBH, KOZARSKY ERIC S, MULFINGER GEORGE R, TOKRANOV ANTON V

Quantum modeling of nanoscale MOSFET von Shanbhag, K.R., Subramaniam, P.C.

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