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    Rapid relaxation of crystallographic anisotropy in SiO2-removed lateral epitaxial overgrown GaN layers

    Rapid relaxation of crystallographic anisotropy in SiO2-removed lateral epitaxial overgrown GaN layers von MIN HONG KIM, YOONHO CHOI, JAE HYUNG YI, MIN YANG, JINA JEON, SEONGWON KHYM, LEEM, Shi-Jong

    Veröffentlicht in Journal of crystal growth

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    Rapid relaxation of crystallographic anisotropy in SiO 2-removed lateral epitaxial overgrown GaN layers

    Rapid relaxation of crystallographic anisotropy in SiO 2-removed lateral epitaxial overgrown GaN layers von Kim, Min Hong, Choi, Yoonho, Yi, Jae Hyung, Yang, Min, Jeon, Jina, Khym, Seongwon, Leem, Shi-Jong

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