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Spatial beam splitting for fully integrated MEMSinterferometer
Veröffentlicht in Optics communications
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SiGe: An attractive material for post-CMOS processing of MEMS
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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SiGe MEMS at processing temperatures below 250°C
Veröffentlicht in Sensors and actuators. A. Physical.
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Characterization and optimization of infrared poly SiGe bolometers
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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SiGe MEMS at processing temperatures below 250 degree C
Veröffentlicht in Sensors and actuators. A. Physical.
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Optimal conditions for micromachining Si1-xGex at 210 °C
Veröffentlicht in Journal of microelectromechanical systems
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IR bolometers made of polycrystalline silicon germanium
Veröffentlicht in Sensors and actuators. A, Physical
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