Be, S, Si, and Ne ion implantation in InSb grown on GaAs von RAO, M. V, THOMPSON, P. E, ECHARD, R, MULPURI, S, BERRY, A. K, DIETRICH, H. B

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Co, Fe, and Ti implants in InGaAs and Co implants in InP at 200°C von RAO, M. V, GULWADI, S. M, SAVITRI MULPURI, SIMONS, D. S, CHI, P. H, CANEAU, C, HONG, W.-P, HOLLAND, O. W, DIETRICH, H. B

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