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MANUFACTURE OF CONTACT FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR
von
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HETERO STRUCTURE BIPOLAR TRANSISTOR
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JP2534444B
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SANDEITSUPU TEIWARI
,
RUUBEN SEODOA KORINZU
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INTEGRATED SHORT-CAVITY LASER
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SANDEITSUPU TEIWARI
,
RUUBEN SEODOA KORINZU
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NANOSTRUCTURE MEMORY ELEMENT
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SANDEITSUPU TEIWARI
,
SEOREN PAARII SUMISU ZA SAADO
,
UEI CHIEN
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LATERAL P-I-N HETERO-JUNCTION DEVICE AND FORMATION METHOD THEREOF
von
MAIKERU ARUBAATO TEISHIYURAA
,
JIEREMII EICHI BAROUUZU
,
SANDEITSUPU TEIWARI
,
SUTEIIBUN RORENTSU RAITO
,
MAAKU SAMUSON MIRUSHIYUTEIN
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SEMICONDUCTOR DEVICE
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SUCHIIBUN RORENTSU RAITO
,
SANDEITSUPU TEIWARI
,
TOOMASU NERUSON JIYAKUSON
,
UIRIAMU HENRII PURAISU
,
JIERII MATSUKUFUAASON UTSUDOORU
,
MASANORI MURAKAMI
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III - V GROUP COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE
von
SUCHIIBUN RORENTSU RAITO
,
SANDEITSUPU TEIWARI
,
TOOMASU NERUSON JIYAKUSON
,
UIRIAMU HENRII PURAISU
,
JIERII MATSUKUFUAASON UTSUDOORU
,
MASANORI MURAKAMI
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