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Optical studies of modulation doped InAs/GaAs quantum dots
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Electrical and Optical Properties of Highly Strained GaN Epilayers
Veröffentlicht in Materials science forum
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Asymmetry in π−p ↑ elastic scattering in the momentum range 1.4–2.1 GeV/ c
Veröffentlicht in Nuclear physics. B
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Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures
Veröffentlicht in Uspehi fiziceskih nauk
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