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    Analysis of cascaded silicon carbide MOSFETs using a single gate driver for medium voltage applications

    Analysis of cascaded silicon carbide MOSFETs using a single gate driver for medium voltage applications von Jørgensen, Asger Bjørn, Sønderskov, Simon Heindorf, Beczkowski, Szymon, Bidoggia, Benoît, Munk-Nielsen, Stig

    Veröffentlicht in IET power electronics

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