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A Motivational Model Explaining Performance in Video Games
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Electronic structure of the neutral silicon vacancy in 4H and 6H SiC
Veröffentlicht in Physical review. B
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Origin of n -type conductivity of low-temperature grown InP
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Effects of microwave fields on recombination processes in 4H and 6H SiC
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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A Deep Photoluminescence Band in 4H SiC Related to the Silicon Vacancy
Veröffentlicht in Materials science forum
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Optically detected magnetic resonance studies of low-temperature InP
Veröffentlicht in Journal of electronic materials
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Determination of the electron effective-mass tensor in 4H SiC
Veröffentlicht in Physical review. B, Condensed matter
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SiC – a semiconductor for high-power, high-temperature and high-frequency devices
Veröffentlicht in Physica scripta
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Important role of shallow impurities in carrier recombination in SiC
Veröffentlicht in Solid state communications
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