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Gradually Tunable Conductance in TiO2/Al2O3 Bilayer Resistors for Synaptic Device
Veröffentlicht in Metals (Basel )
VolltextArtikel -
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Irregular Resistive Switching Behaviors of Al2O3-Based Resistor with Cu Electrode
Veröffentlicht in Metals (Basel )
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Volatile Resistive Switching Characteristics of Pt/HfO2/TaOx/TiN Short-Term Memory Device
Veröffentlicht in Metals (Basel )
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Multi-Level Resistive Switching of Pt/HfO2/TaN Memory Device
Veröffentlicht in Metals (Basel )
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