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Electron drift mobility in a-Si:H; Comparison of two measuring techniques
Veröffentlicht in Solid state communications
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Transmission electron microscopy study of periodic amorphous multilayers
Veröffentlicht in Applied physics letters
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The behavior of H at the amorphous semiconductor multilayer interfaces
Veröffentlicht in Chinese physics letters
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Annealing dependence of PDS of a-Si:H/a-SiN x:H multilayers
Veröffentlicht in Journal of non-crystalline solids
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Annealing dependence of PDS of a-Si:H/a-SiNx:H multilayers
Veröffentlicht in Journal of non-crystalline solids
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Transmission electron microscopy of a-Si:H/a-SiN x:H multilayers
Veröffentlicht in Journal of non-crystalline solids
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Stress in a-Si1−xCx:H studied by (n, −n) double crystal diffractometry
Veröffentlicht in Journal of non-crystalline solids
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Transmission electron microscopy of a-Si:H/a-SiNx:H multilayers
Veröffentlicht in Journal of non-crystalline solids
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