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Qualification of 50 V GaN on SiC technology for RF power amplifiers
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
VolltextArtikel -
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Degradation of 0.25μm GaN HEMTs under high temperature stress test
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
VolltextArtikel -
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Qualification of 50V GaN on SiC technology for RF power amplifiers
Veröffentlicht in Microelectronics and reliability
VolltextArtikel -
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