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Barrier height tuning in Ti/4H-SiC Schottky diodes
Veröffentlicht in Solid-state electronics
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Temperature and density in heavy ion reactions at intermediate energies
Veröffentlicht in Nuclear physics. A
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Toward a Metal-Free Contact Based on Multilayer Epitaxial Graphene on 4H-SiC
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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