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High-Performance Temperature Sensor Based on 4H-SiC Schottky Diodes
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Use of Amorphous Silicon for Active Photonic Devices
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Power MOSFET Intrinsic Diode as a Highly Linear Junction Temperature Sensor
Veröffentlicht in IEEE sensors journal
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Integrated Amorphous Silicon p-i-n Temperature Sensor for CMOS Photonics
Veröffentlicht in Sensors (Basel, Switzerland)
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Thermo-optic phase shifter based on amorphous silicon carbide
Veröffentlicht in EPJ Web of conferences
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Graphene/4H-SiC Schottky photodetector operating in the visible spectrum range
Veröffentlicht in EPJ Web of conferences
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4H-SiC p-i-n diode as Highly Linear Temperature Sensor
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Highly Linear Temperature Sensor Based on 4H-Silicon Carbide p-i-n Diodes
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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