-
1
High speed (10-20 ns) non-volatile MRAM with folded storage elements
Veröffentlicht in IEEE transactions on magnetics
VolltextArtikel -
2
New low current memory modes with giant magneto-resistance materials
Veröffentlicht in IEEE transactions on magnetics
VolltextArtikel -
3
M-R element width and thickness effects on reverse switching thresholds
Veröffentlicht in IEEE transactions on magnetics
VolltextArtikel -
4
Reprogrammable logic array using M-R elements
Veröffentlicht in IEEE transactions on magnetics
VolltextArtikel -
5
The energy and width of paired Neel walls in double layer M-R films
Veröffentlicht in IEEE transactions on magnetics
VolltextArtikel -
6
10-35 nanosecond magnetoresistive memories
Veröffentlicht in IEEE transactions on magnetics
VolltextArtikel -
7
-
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13