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Enhancement-Mode GaAs n-Channel MOSFET
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High mobility NMOSFET structure with high-κ dielectric
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Implant-free high-mobility flatband MOSFET: principles of operation
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Development of GaAs-based MOSFET using molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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