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    Improved stability of amorphous zinc tin oxide thin film transistors using molecular passivation

    Improved stability of amorphous zinc tin oxide thin film transistors using molecular passivation von Rajachidambaram, M. S., Pandey, A., Vilayurganapathy, S., Nachimuthu, P., Thevuthasan, S., Herman, G. S.

    Veröffentlicht in Applied physics letters

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    Transparent oxide semiconductors: Recent material developments and new applications

    Transparent oxide semiconductors: Recent material developments and new applications von Herman, G. S., Rajachidambaram, J. S., Rajachidambaram, M. S., Han, S., Chang, C., Murali, S., Conley, J. F.


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