Strong evidence for diffusion of point defects in GaInN/GaN quantum well structures von de Vasconcellos Lourenço, R., Horenburg, P., Farr, P., Bremers, H., Rossow, U., Hangleiter, A.

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Suppression of nonradiative recombination by V-shaped pits in GaInN/GaN quantum wells produces a large increase in the light emission efficiency von HANGLEITER, A, HITZEL, F, NETZEL, C, FUHRMANN, D, ROSSOW, U, ADE, G, HINZE, P

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Lattice-matched AlInN in the initial stage of growth von Buß, E. R., Rossow, U., Bremers, H., Hangleiter, A.

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Indium incorporation into InGaN: The role of the adlayer von Rossow, U., Horenburg, P., Ketzer, F., Bremers, H., Hangleiter, A.

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Strong enhancement of Eu+3 luminescence in europium-implanted GaN by Si and Mg codoping von Mishra, J. K., Langer, T., Rossow, U., Shvarkov, S., Wieck, A., Hangleiter, A.

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Auger recombination in GaInN/GaN quantum well laser structures von Brendel, M., Kruse, A., Jönen, H., Hoffmann, L., Bremers, H., Rossow, U., Hangleiter, A.

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Growth kinetics and island evolution during double-pulsed molecular beam epitaxy of InN von Kraus, A., Hein, C., Bremers, H., Rossow, U., Hangleiter, A.

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Composition dependence of polarization fields in GaInN/GaN quantum wells von Hangleiter, A., Hitzel, F., Lahmann, S., Rossow, U.

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Non- and semipolar AlInN one-dimensionally lattice-matched to GaN for realization of relaxed buffer layers for strain engineering in optically active GaN-based devices von Buß, E. R., Horenburg, P., Rossow, U., Bremers, H., Meisch, T., Caliebe, M., Scholz, F., Hangleiter, A.

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Measurement of the indium concentration in high indium content InGaN layers by scanning transmission electron microscopy and atom probe tomography von Mehrtens, T., Schowalter, M., Tytko, D., Choi, P., Raabe, D., Hoffmann, L., Jönen, H., Rossow, U., Hangleiter, A., Rosenauer, A.

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Growth and characterization of InGaN by RF-MBE von Kraus, A., Hammadi, S., Hisek, J., Buß, R., Jönen, H., Bremers, H., Rossow, U., Sakalauskas, E., Goldhahn, R., Hangleiter, A.

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Intentional anisotropic strain relaxation in (112¯2) oriented Al1−xInxN one-dimensionally lattice matched to GaN von Buß, E. R., Rossow, U., Bremers, H., Meisch, T., Caliebe, M., Scholz, F., Hangleiter, A.

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Adapting epicutaneous patch testing protocols to assess immediate‐type skin reactions von Mehling, A., Benard, S., Braun, N., Degwert, J., Duttine, M., Jassoy, C., Merk, H., Rossow, U., Welzel, J., Wigger‐Alberti, W., Wilhelm, K.P., Ennen, J.

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Effects of spontaneous polarization on GaInN/GaN quantum well structures von Thomsen, M., Jönen, H., Rossow, U., Hangleiter, A.

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Optimization scheme for the quantum efficiency of GaInN-based green-light-emitting diodes von Fuhrmann, D., Netzel, C., Rossow, U., Hangleiter, A., Ade, G., Hinze, P.

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Correlated terahertz acoustic and electromagnetic emission in dynamically screened InGaN/GaN quantum wells von van Capel, P. J. S., Turchinovich, D., Porte, H. P., Lahmann, S., Rossow, U., Hangleiter, A., Dijkhuis, J. I.

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Highly efficient light emission from stacking faults intersecting nonpolar GaInN quantum wells von Jönen, H., Rossow, U., Bremers, H., Hoffmann, L., Brendel, M., Dräger, A. D., Schwaiger, S., Scholz, F., Thalmair, J., Zweck, J., Hangleiter, A.

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Indium incorporation processes investigated by pulsed and continuous growth of ultrathin InGaN quantum wells von Rossow, U., Hoffmann, L., Bremers, H., Buß, E.R., Ketzer, F., Langer, T., Hangleiter, A., Mehrtens, T., Schowalter, M., Rosenauer, A.

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Dielectric function and bowing parameters of InGaN alloys von Sakalauskas, E., Tuna, Ö., Kraus, A., Bremers, H., Rossow, U., Giesen, C., Heuken, M., Hangleiter, A., Gobsch, G., Goldhahn, R.

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Spontaneous polarization field in polar and nonpolar GaInN/GaN quantum well structures von Thomsen, M., Jönen, H., Rossow, U., Hangleiter, A.

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