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First Demonstration of High-Power GaN-on-Silicon Transistors at 40 GHz
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Low-Noise Microwave Performance of AlN/GaN HEMTs Grown on Silicon Substrate
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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UHF RFID tags backscattered power measurement in reverberation chamber
Veröffentlicht in Electronics letters
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Beyond 100 GHz AlN/GaN HEMTs on silicon substrate
Veröffentlicht in Electronics letters
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UWB in Millimeter Wave Band With Pulsed ILO
Veröffentlicht in IEEE transactions on circuits and systems. I, Regular papers
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A solid-mounted resonator-oscillator-based 4.596 GHz frequency synthesis
Veröffentlicht in Review of scientific instruments
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