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Model of interface states at III-V oxide interfaces
Veröffentlicht in Applied physics letters
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High dielectric constant gate oxides for metal oxide Si transistors
Veröffentlicht in Reports on progress in physics
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Maximizing performance for higher K gate dielectrics
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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Origin of the high work function and high conductivity of MoO3
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Materials selection for oxide-based resistive random access memories
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Modeling of switching mechanism in GeSbTe chalcogenide superlattices
Veröffentlicht in Scientific reports
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Plasma Deposition of Diamond-Like Carbon
Veröffentlicht in Japanese Journal of Applied Physics
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