-
1
-
2
Extremely scaled silicon nano-CMOS devices
Veröffentlicht in Proceedings of the IEEE
VolltextArtikel -
3
-
4
An adjustable work function technology using Mo gate for CMOS devices
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
5
Dual work function metal gate CMOS technology using metal interdiffusion
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
6
-
7
Dual work function metal gate CMOS transistors by Ni-Ti interdiffusion
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
8
-
9
-
10
-
11
-
12
-
13
-
14
-
15
-
16
-
17
-
18
-
19
-
20