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Effect of GaN cap layer on the performance of AlInN/GaN-based HEMTs
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
VolltextArtikel -
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Origin of the Kink Effect in AlInN/GaN High Electron-Mobility Transistor
Veröffentlicht in Journal of applied physics
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An accurate method to extract thermal resistance of GaN-on-Si HEMTs
Veröffentlicht in Applied physics letters
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