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Study of absorption spectra of Er3+ ions in GaN crystals
Veröffentlicht in Physica status solidi. A, Applied research
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High-temperature annealing of bulk GaN layers
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Initial stages of the GaN growth on oxidized silicon
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Photoelectric properties of GaN/GaP heterostructures
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Photoelectric properties of ITO/p +-p −-InP solar cells in linearly polarized light
Veröffentlicht in Technical physics
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The absorption spectra of gallium nitride crystals doped with erbium ions
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Study of absorption spectra of Er3+ ions in GaN crystals
Veröffentlicht in Physica status solidi. C
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Structural basis of selective beta-carotene binding by a soluble protein
Veröffentlicht in Structure (London)
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