PROCEDE D'ELIMINATION DE L'INVERSION A LA SURFACE D'UN SEMI-CONDUCTEUR von R.A. MOLINE

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Residual defects in Si produced by recoil implantation of oxygen von Moline, R. A., Cullis, A. G.

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Tapered windows in SiO 2 by ion implantation von Moline, R.A., Buckley, R.R., Haszko, S.E., MacRae, A.U.

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Tapered windows in SiO2by ion implantation von Moline, R.A., Buckley, R.R., Haszko, S.E., MacRae, A.U.

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Ion-implanted hyperabrupt junction voltage variable capacitors von Moline, R.A., Foxhall, G.F.

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Self-aligned maskless chan stops for IGFET integrated circuits von Moline, R.A., Reutlinger, G.W.

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Fully ion-implanted bipolar transistors von Payne, R.S., Scavuzzo, R.J., Olson, K.H., Nacci, J.M., Moline, R.A.

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Phosphorus Channeled in Silicon: Profiles and Electrical Activity von Moline, R. A., Reutlinger, G. W.

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Transistors with boron bases predeposited by ion implantation and annealed in various oxygen ambients von Seidel, T.E., Payne, R.S., Moline, R.A., Costello, W.R., Tsai, J.C.C., Gardner, K.R.

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An ion-implanted Schottky-barrier gate field-effect transistor von Moline, R.A., Gibson, W.C., Heck, L.D.

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10 GHz Si Schottky-barrier IMPATT diode with hyperabrupt impurity distribution produced by ion implantation von Misawa, T., Moline, R.A., Tretola, A.R.

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PROCEDE DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A ELECTRODE DE COMMANDE ISOLEE von A.U. MACRAE, R.A. MOLINE

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PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE ENFOUIE PAR IMPLANTATION D'IONS von P. MILLER, A.U. MACRAE, J. SIMPSON, R.A. MOLINE

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PROCEDE POUR REGLER L'EXPOSITION D'UN ECHANTILLON A UN FAISCEAUD'IONS von K.A. PICKAR, A.U. MAC RAE, R.A. MOLINE

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