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Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films: A Review of Recent Advances
Veröffentlicht in JOM (1989)
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Ten-Nanometer Ferroelectric \hbox Films for Next-Generation FRAM Capacitors
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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A 64-Mb embedded FRAM utilizing a 130-nm 5LM Cu/FSG logic process
Veröffentlicht in IEEE journal of solid-state circuits
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Surface preparation for the heteroepitactic growth of ceramic thin films
Veröffentlicht in Applied physics letters
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