Suchergebnisse - Rüb, Michael

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4He irradiation of zircon, ZrSiO4, using a micro-patterned, Si-based energy filter von Nasdala, Lutz, Akhmadaliev, Shavkat, Chanmuang N., Chutimun, Zowalla, André, Csato, Constantin, Rüb, Michael

Veröffentlicht in Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms

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Alternative Highly Homogenous Drift Layer Doping for 650 V SiC Devices von Schustereder, Werner, Kern, Ronny, Rüb, Michael, Csato, Constantin, Höchbauer, Tobias, Rupp, Roland, Akhmadaliev, Shavkat, von Borany, Johannes, Krippendorf, Florian

Veröffentlicht in Materials Science Forum

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Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV von Belanche, Manuel, Yonezawa, Yoshiyuki, Heller, René, Müller, Arnold, Vockenhuber, Christof, Martinella, Corinna, Rüb, Michael, Kato, Masashi, Murata, Koichi, Tsuchida, Hidekazu, Nakayama, Koji, Grossner, Ulrike

Veröffentlicht in Materials science in semiconductor processing

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Energy filter for tailoring depth profiles in semiconductor doping application von Csato, Constantin, Krippendorf, Florian, Akhmadaliev, Shavkat, von Borany, Johannes, Han, Weiqi, Siefke, Thomas, Zowalla, Andre, Rüb, Michael

Veröffentlicht in Nuclear instruments & methods in physics research. Section B, Beam interactions with materials and atoms

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Employment of English: Theory, Jobs, and the Future of Literary Studies von Berube, Michael

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Messvorrichtung, Ionenimplantationsvorrichtung und Verfahren zur ladungsunabhängigen In-Situ-Dosismessung von Gerold, Marcel, Kraus, Matthias, Rüb, Michael

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Messvorrichtung, Ionenimplantationsvorrichtung und Verfahren zur ladungsunabhängigen In-Situ-Dosismessung von Gerold, Marcel, Kraus, Matthias, Rüb, Michael

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High-energy ion projection for deep ion implantation as a low cost high throughput alternative for subsequent epitaxy processes von Meijer, Jan, Burchard, Bernd, Ivanova, Katja, Volland, Burkhard E., Rangelow, Ivo W., Rüb, Michael, Deboy, Gerald

Veröffentlicht in Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

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Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung von RÜB, MICHAEL

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Stencilmaske für Hoch- und Ultrahochenergieimplantation und Verfahren zur Herstellung dieser Stencilmaske von RÜB, MICHAEL

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Electric motor drive, in particular fan drive von Stöhling, Marco, Tiemeyer, Peter, Bauer, Karl-Heinz, Wittstadt, Frank, Diller, Hannelore, Rüb, Michael

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Leistungshalbleiterbauelemente mit einer Driftstrecke und einer hochdielektrischen Kompensationszone und Verfahren zur Herstellung einer Kompensationszone von HIRLER, FRANZ, RÜB, MICHAEL

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Trench transistor having a doped semiconductor region von Rüb Michael, Wahl Uwe, Meyer Thorsten, Tolksdorf Carolin, Schaeffer Carsten, Schmitt Markus, Willmeroth Armin, Hirler Franz

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Energiefilter-Ionenimplantation für Silizium-Leistungshalbleiter auf 300mm-Substraten : Sachbericht : Laufzeit des Projektes: 01.06.2019-30.09.2022 von Unknown

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TRANSISTORBAUELEMENT MIT HOHER LAWINEN-ROBUSTHEIT von Kowalik-Seidl, Katarzyna, Chirila, Tudor, Rüb, Michael

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16

Halbleiterbauelement mit Ladungsträgerkompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements von Hirler, Franz, Dr, Rüb, Michael, Dr, Kapels, Holger, Dr, Mauder, Anton, Dr, Willmeroth, Armin

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Trench Transistor Having a Doped Semiconductor Region von WAHL UWE, MEYER THORSTEN, TOLKSDORF CAROLIN, SCHMITT MARKUS, WILLMEROTH ARMIN, HIRLER FRANZ, RÜB MICHAEL, SCHAEFFER CARSTEN

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Lateral trench transistor, as well as a method for its production von WAHL UWE, MEYER THORSTEN, TOLKSDORF CAROLIN, SCHMITT MARKUS, WILLMEROTH ARMIN, HIRLER FRANZ, RÜB MICHAEL, SCHAEFFER CARSTEN

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Laterales Kompensationshalbleiterbauteil mit gekoppelten Kompensationszellen von Schmitt, Markus, Dipl.-Phys, Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys, Tolksdorf, Carolin, Dipl.-Phys, Rüb, Michael, Dr.rer.nat, Wahl, Uwe, Dr.-Ing

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Electron beam induced deposition in a reducing image projector von Rüb, Michael, Koops, Hans W.P., Tschudi, Theo

Veröffentlicht in Microelectronic engineering

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Alternative Highly Homogenous Drift Layer Doping for 650 V SiC Devices von Schustereder, Werner, Kern, Ronny, Rüb, Michael, Csato, Constantin, Höchbauer, Tobias, Rupp, Roland, Akhmadaliev, Shavkat, von Borany, Johannes, Krippendorf, Florian

Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV von Belanche, Manuel, Yonezawa, Yoshiyuki, Heller, René, Müller, Arnold, Vockenhuber, Christof, Martinella, Corinna, Rüb, Michael, Kato, Masashi, Murata, Koichi, Tsuchida, Hidekazu, Nakayama, Koji, Grossner, Ulrike

Energy filter for tailoring depth profiles in semiconductor doping application von Csato, Constantin, Krippendorf, Florian, Akhmadaliev, Shavkat, von Borany, Johannes, Han, Weiqi, Siefke, Thomas, Zowalla, Andre, Rüb, Michael

Employment of English: Theory, Jobs, and the Future of Literary Studies von Berube, Michael

Messvorrichtung, Ionenimplantationsvorrichtung und Verfahren zur ladungsunabhängigen In-Situ-Dosismessung von Gerold, Marcel, Kraus, Matthias, Rüb, Michael

Messvorrichtung, Ionenimplantationsvorrichtung und Verfahren zur ladungsunabhängigen In-Situ-Dosismessung von Gerold, Marcel, Kraus, Matthias, Rüb, Michael

High-energy ion projection for deep ion implantation as a low cost high throughput alternative for subsequent epitaxy processes von Meijer, Jan, Burchard, Bernd, Ivanova, Katja, Volland, Burkhard E., Rangelow, Ivo W., Rüb, Michael, Deboy, Gerald

Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung von RÜB, MICHAEL

Stencilmaske für Hoch- und Ultrahochenergieimplantation und Verfahren zur Herstellung dieser Stencilmaske von RÜB, MICHAEL

Electric motor drive, in particular fan drive von Stöhling, Marco, Tiemeyer, Peter, Bauer, Karl-Heinz, Wittstadt, Frank, Diller, Hannelore, Rüb, Michael

Leistungshalbleiterbauelemente mit einer Driftstrecke und einer hochdielektrischen Kompensationszone und Verfahren zur Herstellung einer Kompensationszone von HIRLER, FRANZ, RÜB, MICHAEL

Trench transistor having a doped semiconductor region von Rüb Michael, Wahl Uwe, Meyer Thorsten, Tolksdorf Carolin, Schaeffer Carsten, Schmitt Markus, Willmeroth Armin, Hirler Franz

Energiefilter-Ionenimplantation für Silizium-Leistungshalbleiter auf 300mm-Substraten : Sachbericht : Laufzeit des Projektes: 01.06.2019-30.09.2022 von Unknown

TRANSISTORBAUELEMENT MIT HOHER LAWINEN-ROBUSTHEIT von Kowalik-Seidl, Katarzyna, Chirila, Tudor, Rüb, Michael

Halbleiterbauelement mit Ladungsträgerkompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements von Hirler, Franz, Dr, Rüb, Michael, Dr, Kapels, Holger, Dr, Mauder, Anton, Dr, Willmeroth, Armin

Trench Transistor Having a Doped Semiconductor Region von WAHL UWE, MEYER THORSTEN, TOLKSDORF CAROLIN, SCHMITT MARKUS, WILLMEROTH ARMIN, HIRLER FRANZ, RÜB MICHAEL, SCHAEFFER CARSTEN

Lateral trench transistor, as well as a method for its production von WAHL UWE, MEYER THORSTEN, TOLKSDORF CAROLIN, SCHMITT MARKUS, WILLMEROTH ARMIN, HIRLER FRANZ, RÜB MICHAEL, SCHAEFFER CARSTEN

Laterales Kompensationshalbleiterbauteil mit gekoppelten Kompensationszellen von Schmitt, Markus, Dipl.-Phys, Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys, Tolksdorf, Carolin, Dipl.-Phys, Rüb, Michael, Dr.rer.nat, Wahl, Uwe, Dr.-Ing

Electron beam induced deposition in a reducing image projector von Rüb, Michael, Koops, Hans W.P., Tschudi, Theo

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