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Enhancement-mode AlGaN/GaN high electronic mobility transistors with thin barrier
Veröffentlicht in Chinese physics B
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AlGaN/GaN MIS-HEMT using NbAlO dielectric layer grown by atomic layer deposition
Veröffentlicht in Chinese physics B
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Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs fabricated by fluorine plasma treatment
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
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Primary total hip arthroplasty for acetabular fracture
Veröffentlicht in Chinese journal of traumatology
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