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Effective Passivation of AlGaN/GaN HEMTs by ALD-Grown AlN Thin Film
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
VolltextArtikel -
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Vertical Leakage/Breakdown Mechanisms in AlGaN/GaN-on-Si Devices
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Al2O3/AlN/GaN MOS-Channel-HEMTs With an AlN Interfacial Layer
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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1.4-kV AlGaN/GaN HEMTs on a GaN-on-SOI Platform
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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