Effect of the AIN nucleation layer growth on AlN material quality von Reentilä, O., Brunner, F., Knauer, A., Mogilatenko, A., Neumann, W., Protzmann, H., Heuken, M., Kneissl, M., Weyers, M., Tränkle, G.

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High-temperature growth of AlN in a production scale 11 × 2′ MOVPE reactor von Brunner, F., Protzmann, H., Heuken, M., Knauer, A., Weyers, M., Kneissl, M.

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Modeling and process design of III-nitride MOVPE at near-atmospheric pressure in close coupled showerhead and planetary reactors von Dauelsberg, M., Martin, C., Protzmann, H., Boyd, A.R., Thrush, E.J., Käppeler, J., Heuken, M., Talalaev, R.A., Yakovlev, E.V., Kondratyev, A.V.

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Reactor dependent starting transients of doping profiles in MOVPE grown GaN von Köhler, K., Gutt, R., Müller, S., Wiegert, J., Menner, H.P., Kirste, L., Protzmann, H., Heuken, M.

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Modelling of group-III nitride MOVPE in the closed coupled showerhead reactor and Planetary Reactor von Martin, C., Dauelsberg, M., Protzmann, H., Boyd, A.R., Thrush, E.J., Heuken, M., Talalaev, R.A., Yakovlev, E.V., Kondratyev, A.V.

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Evaluation of strain and In content in (InGaN/GaN) multiquantum wells by x-ray analysis von Krost, A., Bläsing, J., Lünenbürger, M., Protzmann, H., Heuken, M.

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Indium nanowires in thick (InGaN) layers as determined by x-ray analysis von Krost, A., Bläsing, J., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Heuken, M.

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Blue InGaN/GaN multiple-quantum-well optically pumped lasers with emission wavelength in the spectral range of 450–470 nm von Yablonskii, G. P., Lutsenko, E. V., Pavlovskii, V. N., Marko, I. P., Gurskii, A. L., Zubialevich, V. Z., Mudryi, A. V., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Schineller, B., Heuken, M., Kalisch, H., Heime, K.

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Uniformity control of 3 inch GaN/InGaN layers grown in Planetary Reactors von Beccard, R., Protzmann, H., Luenenbuerger, M., Schineller, B., Heuken, M.

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Si-doping of MOVPE grown InP and GaAs by using the liquid Si source ditertiarybutyl silane von Leu, S, Protzmann, H, Höhnsdorf, F, Stolz, W, Steinkirchner, J, Hufgard, E

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A novel reactor concept for multiwafer growth of III–V semiconductors von Beccard, R, Protzmann, H, Schmitz, D, Strauch, G, Heuken, M, Juergensen, H

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Characterization of InGaN Single Layers and Quantum Wells Grown by LP-MOVPE von Schineller, B., Lim, P.H., Schön, O., Protzmann, H., Heuken, M., Heime, K.

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In Situ Monitoring of GaN Growth in Multiwafer MOVPE Reactors von Lünenbürger, M., Protzmann, H., Heuken, M., Jürgensen, H.

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Structural and Optical Analysis of (In, Ga)N Structures Grown by MOCVD von Rudloff, D., Bläsing, J., Riemann, T., Christen, J., Krost, A., Lünenbürger, M., Protzmann, H., Heuken, M.

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High-Temperature Lasing in InGaN/GaN Multiquantum Well Heterostructures von Marko, I.P., Lutsenko, E.V., Pavlovskii, V.N., Yablonskii, G.P., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Heuken, M., Schneller, B., Heime, K.

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Influence of UV Light-Assisted Annealing on Optical Properties of InGaN/GaN Heterostructures Grown by MOVPE von Marko, I.P., Lutsenko, E.V., Pavlovskii, V.N., Yablonskii, G.P., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Heuken, M., Schineller, B., Heime, K.

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MOVPE production reactors for high temperature electronics von Protzmann, H., Wachtendorf, B., Schoen, O., Schmitz, D., Strauch, G., Juergensen, H.

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Properties of (Ga0.47In0.53)As epitaxial layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) using alternative arsenic precursors von Protzmann, H., Höhnsdorf, F., Spika, Z., Stolz, W., Göbel, E.O., Müller, M., Lorberth, J.

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Stimulated Emission, Electro- and Photoluminescence of InGaN/GaN EL-Test and SQW Heterostructures Grown by MOVPE von Yablonskii, G.P., Lutsenko, E.V., Marko, I.P., Pavlovskii, V.N., Mudryi, A.V., Stognij, A.I., Schön, O., Protzmann, H., Lünenbürger, M., Schneller, B., Heuken, M., Heime, K.

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Characterization of undoped and silicon-doped InGaN/GaN single quantum wells von Schineller, B., Lim, P. H., Yablonskii, G. P., Lutsenko, E. V., Schön, O., Protzmann, H., Heuken, M., Heime, K.

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