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    Modeling of In0.17Ga0.83N/InxGa1–xN/AlyGa1–yN light emitting diode structure on ScAlMgO4 (0001) substrate for high intensity red emission

    Modeling of In0.17Ga0.83N/InxGa1–xN/AlyGa1–yN light emitting diode structure on ScAlMgO4 (0001) substrate for high intensity red emission von Hussain, S., Rahman, Md.M., Prodhan, Md.T.


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