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1
Integration of SiGe NPN devices with tunable collector profiles using a single mask
von
Hurwitz, P.
,
Preisler, E.J.
,
Racanelli, M.
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2
Low cost, highly flexible complementary bipolar transistors compatible with 0.18 or 0.13μm CMOS technology
von
Preisler, E.J.
,
Lao, L.
,
Zheng, J.
,
Hurwitz, P.
,
Racanelli, M.
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3
Nitridation of epitaxially grown 6.1 Å semiconductors studied by X-ray photoelectron spectroscopy
von
Preisler, E.J
,
Strittmatter, R.P
,
McGill, T.C
,
Hill, C.J
Veröffentlicht in
Applied surface science
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Artikel
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Integration of a 5.5V BVCEO SiGe HBT within a 200 GHz SiGe BiCMOS process flow
von
Preisler, E.J.
,
Matine, N.
,
Zheng, J.
,
Cheskis, D.
,
Hurwitz, P.
,
Racanelli, M.
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Von:
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Ieee Electronic Library (Iel) Conference Proceedings
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Ieee Power & Energy Library
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Ieee Electronic Library (Iel)
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3
Ingenta Connect
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Sd College Edition Journals Collection - Physical Sciences [Scps]
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1