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    Effects of grain boundaries on laser crystallized poly-Si MOSFET's

    Effects of grain boundaries on laser crystallized poly-Si MOSFET's von Ng, K.K., Celler, G.K., Povilonis, E.I., Frye, R.C., Leamy, H.J., Sze, S.M.

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    Effect of high-temperature H2-anneals on the slow-trapping instability of MOS structures

    Effect of high-temperature H2-anneals on the slow-trapping instability of MOS structures von Sinha, A.K., Levinstein, H.J., Adda, L.P., Fuls, E.N., Povilonis, E.I.

    Veröffentlicht in Solid-state electronics

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    Effect of high-temperature H 2-anneals on the slow-trapping instability of MOS structures

    Effect of high-temperature H 2-anneals on the slow-trapping instability of MOS structures von Sinha, A.K., Levinstein, H.J., Adda, L.P., Fuls, E.N., Povilonis, E.I.

    Veröffentlicht in Solid-state electronics

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    IVB-6 effects of grain boundaries on laser crystallized poly-Si MOSFETs

    IVB-6 effects of grain boundaries on laser crystallized poly-Si MOSFETs von Ng, K.K., Celler, G.K., Povilonis, E.I., Frye, R.C., Leamy, H.J., Sze, S.M.


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