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Electrically active interface defects in the In0.53Ga0.47As MOS system
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Band offsets at interfaces of (100)InxGa1−xAs (0⩽x⩽0.53) with Al2O3 and HfO2
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Investigation of bulk defects in amorphous and crystalline HfO2 thin films
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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Investigation of bulk defects in amorphous and crystalline HfO 2 thin films
Veröffentlicht in Microelectronic engineering
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