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    Comparative Study of Oxygen- and Carbon-Related Defects in Electron Irradiated Cz–Si Doped with Isovalent Impurities

    Comparative Study of Oxygen- and Carbon-Related Defects in Electron Irradiated Cz–Si Doped with Isovalent Impurities von Londos, Charalampos A., Chroneos, Alexander, Sgourou, Efstratia N., Panagiotidis, Ioannis, Angeletos, Theoharis, Potsidi, Marianna S.

    Veröffentlicht in Applied sciences

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    The Interstitial Carbon-Dioxygen Center in Irradiated Silicon

    The Interstitial Carbon-Dioxygen Center in Irradiated Silicon von Potsidi, Marianna S., Kuganathan, Navaratnarajah, Christopoulos, Stavros-Richard G., Chroneos, Alexander, Angeletos, Theoharis, Sarlis, Nicholas V., Londos, Charalampos A.

    Veröffentlicht in Crystals (Basel)

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