Electrical characterization of SiC for high-temperature thermal-sensor applications von Dezauzier, C., Becourt, N., Arnaud, G., Contreras, S., Ponthenier, J.L., Camassel, J., Robert, J.L., Pascual, J., Jaussaud, C.

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Influence of temperature on the formation by reactive CVD of a silicon carbide buffer layer on silicon von Bécourt, N., Ponthenier, J.L., Papon, A.M., Jaussaud, C.

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Optical and magnetic diagnostics of the electric arc dynamics in a low voltage circuit breaker von Brdys, C, Toumazet, J P, Laurent, A, Ponthenier, J L

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Characterization of the buffer layer in SiC heteroepitaxy von Bécourt, N., Cros, B., Ponthenier, J.L., Berjoan, R., Papon, A.M., Jaussaud, C.

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Etude par spectrométrie Raman de l'interaction entre un substrat de graphite et un mélange MCl4H2 (M = Si, Ti) von Vincent, H., Ponthenier, J.L., Vincent, C., Bouix, J.

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Etude par spectrométrie Raman de l'interaction entre un substrat de graphite et un mélange MCl 4H 2 ( M = Si, Ti) von Vincent, H., Ponthenier, J.L., Vincent, C., Bouix, J.

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Low electrical resistance silicon through vias: technology and characterization von Henry, D., Belhachemi, D., Souriau, J.-C., Brunet-Manquat, C., Puget, C., Ponthenier, G., Vallejo, J.L., Lecouvey, C., Sillon, N.

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Influence des conditions experimentales du depot de SiC par RCVD sur l'infiltration de substrats de carbone poreux von Vincent, H., Ponthbnier, J.L., Porte, L., Vincent, C., Bouix, J.

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