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Spontaneous emission of holes excited by an electric field in germanium
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Spectroscopic Study of Ga-Doped Ge under Uniaxial Pressure
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Resonance states of gallium impurity in uniaxially compressed germanium
Veröffentlicht in JETP letters
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Impurity pairs and excitation relaxation in doped silicon
Veröffentlicht in JETP letters
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Luminescence analysis of group III and V impurities in silicon
Veröffentlicht in Journal of applied spectroscopy
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Aleksandr Aleksandrovich Rogachev
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Long-lived excited state of Te donors in GaP
Veröffentlicht in Journal of experimental and theoretical physics
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Kinetics of the photoconductivity and absorption in the D −(A +) bands in doped silicon
Veröffentlicht in JETP letters
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Long-Living Excited State of the Te Donor in GaP
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
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Longliving excited states of impurities in Si
Veröffentlicht in Solid state communications
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