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A degradation rate study of MBE-grown high-power AlGaAs laser diodes
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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Indium droplet formation during molecular beam epitaxy of InGaN
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Nucleation and growth kinetics of GaAs during molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Surface science
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Thermal etching of binary and ternary III–V compounds under vacuum conditions
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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RHEED study of c(4 × 4) → (2 × 4) transition on GaAs(001) surface
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Use of molecular beam epitaxy for high-power AlGaAs laser production
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Indium droplet formation during molecular beam epitaxy of InGaN
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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A binuclear atom -- a special type of close bound state between proton and heavy atom
Veröffentlicht in arXiv.org
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Nucleation and growth kinetics of GaAs during molecular beam epitaxy
Veröffentlicht in Surface science
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A degradation rate study of MBE-grown high-power AlGaAs laser diodes
Veröffentlicht in Semiconductor science and technology
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