Growth of bulk AlN crystals by vapor-phase epitaxy from atomic Al and NH3 von Pogorel’skii, M. Yu, Alekseev, A. N., Pogorel’skii, Yu. V., Shkurko, A. P.

Volltext

Multilayer AlN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE on AlN/SiC substrates von Alekseev, A. N., Aleksandrov, S. B., Byrnaz, A. É., Kokin, S. V., Krasovitskiĭ, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skiĭ, M. Yu, Pogorel’skiĭ, Yu. V., Sokolov, I. A., Sokolov, M. A., Stepanov, M. V., Tkachenko, A. G., Chalyĭ, V. P., Shkurko, A. P.

Volltext

Multilayer AlN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE on silicon substrates von Alekseev, A. N., Aleksandrov, S. B., Byrnaz, A. É., Velikovskiĭ, L. É., Velikovskiĭ, I. É., Krasovitskiĭ, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skiĭ, M. Yu, Pogorel’skiĭ, Yu. V., Sokolov, I. A., Sokolov, M. A., Stepanov, M. V., Tkachenko, A. G., Shkurko, A. P., Chalyĭ, V. P.

Volltext

Multilayer AIN/AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures with quantum wells for high-power field-effect transistors grown by ammonia MBE von Alekseev, A. N., Aleksandrov, S. B., Byrnaz, A. É., Velikovskiĭ, L. É., Velikovskiĭ, I. É., Veretekha, A. V., Krasovitskiĭ, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skiĭ, M. Yu, Pogorel’skiĭ, Yu. V., Sokolov, I. A., Sokolov, M. A., Stepanov, M. V., Tkachenko, A. G., Shkurko, A. P., Chalyĭ, V. P.

Volltext

GaN/InGaN heterostructures grown by ammonia MBE with a wetting metal indium layer von Alekseev, A. N., Byrnaz, A. É., Krasovitskiĭ, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skiĭ, Yu. V., Sokolov, I. A., Sokolov, M. A., Stepanov, M. V., Chalyĭ, V. P., Shkurko, A. P.

Volltext

Microwave field-effect transistors based on group-III nitrides von Aleksandrov, S. B., Baranov, D. A., Kaidash, A. P., Krasovitskii, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skii, Yu. V., Sokolov, I. A., Stepanov, M. V., Chalyi, V. P., Gladysheva, N. B., Dorofeev, A. A., Matveev, Yu. A., Chernyavskii, A. A.

Volltext

AlGaN/GaN HEMTs grown by ammonia MBE von Volkov, V. V., Ivanova, V. P., Kuz’michev, Yu. S., Lermontov, S. A., Solov’ev, Yu. V., Baranov, D. A., Kaidash, A. P., Krasovitskii, D. M., Pavlenko, M. V., Petrov, S. I., Pogorel’skii, Yu. V., Sokolov, I. A., Sokolov, M. A., Stepanov, M. V., Chalyi, V. P.

Volltext

MBE of InGaN/GaN heterostructures using ammonia as a source of nitrogen von Petrov, S. I., Kaidash, A. P., Krasovitskii, D. M., Sokolov, I. A., Pogorel’skii, Yu. V., Chalyi, V. P., Shkurko, A. P., Stepanov, M. V., Pavlenko, M. V., Baranov, D. A.

Volltext

High-power low-threshold laser diodes (λ=0.94μm) based on MBE-grown In0.1Ga0.9As/AlGaAs/GaAs heterostructures von Aleksandrov, S. B., Alekseev, A. N., Demidov, D. M., Dudin, A. L., Katsavets, N. I., Kogan, I. V., Pogorel’skii, Yu. V., Ter-Martirosyan, A. L., Sokolov, É. G., Chaly, V. P., Shkurko, A. P.

Volltext