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Interstitial defects in silicon from 1–5 keV Si+ ion implantation
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Applied Physics Reviews' inaugural edition
Veröffentlicht in Applied physics reviews
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Effect of pressure on the solid phase epitaxial regrowth rate of Si
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Diffusion and reactions in gold films: A review of fundamental aspects
Veröffentlicht in Gold Bulletin
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Pressure dependence of arsenic diffusivity in silicon
Veröffentlicht in Applied physics letters
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Thin Films and Solid-Phase Reactions
Veröffentlicht in Science (American Association for the Advancement of Science)
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