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    Comparison between CoSi2 and TiSi2 as dopant source for shallow silicided junction formation

    Comparison between CoSi2 and TiSi2 as dopant source for shallow silicided junction formation von Van Den Hove, L., Maex, K., Hobbs, L., Pippens, P., De Keersmaecker, R., Probst, V., Schaber, H.

    Veröffentlicht in Applied surface science

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    Comparison between CoSi 2 and TiSi 2 as dopant source for shallow silicided junction formation von Van Den Hove, L., Maex, K., Hobbs, L., Pippens, P., De Keersmaecker, R., Probst, V., Schaber, H.

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