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Phosphorus-related donors in 6 H -SiC generated by ion implantation
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
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Pressure Dependence of the Band Gap of 4H-SiC
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
VolltextArtikel -
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Pressure Dependence of the Electronic Band Gap in 6HSic
Veröffentlicht in physica status solidi (b)
VolltextArtikel -
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Nuclear transmutation doping of 6H-silicon carbide with phosphorous
Veröffentlicht in Diamond and related materials
VolltextArtikel -
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