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Efficient quantum dot light-emitting diodes with a Zn0.85Mg0.15O interfacial modification layer
Veröffentlicht in Nanoscale
VolltextArtikel -
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Stable and reliable IGZO resistive switching device with HfAlO x interfacial layer
Veröffentlicht in Nanotechnology
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Stable and reliable IGZO resistive switching device with HfAlOxinterfacial layer
Veröffentlicht in Nanotechnology
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