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A low on-resistance SOI LDMOS using a trench gate and a recessed drain
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
VolltextArtikel -
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High voltage SOI LDMOS with a compound buried layer
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
VolltextArtikel -
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Novel SOI double-gate MOSFET with a P-type buried layer
Veröffentlicht in Journal of semiconductors
VolltextArtikel -
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