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Elasticity and Inelasticity of Bulk GaN Crystals
Veröffentlicht in Technical physics
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Carrier removal rates in 1.1 MeV proton irradiated α-Ga2O3 (Sn)
Veröffentlicht in Journal of physics. D, Applied physics
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Growth of Thick ε(κ)-Ga2O3 Films by Halide Vapor Phase Epitaxy
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Structural and electrical properties of thick κ-Ga2O3 grown on GaN/sapphire templates
Veröffentlicht in APL materials
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HVPE growth of α- and ε-Ga2O3 on patterned sapphire substrates
Veröffentlicht in Journal of physics. Conference series
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Deep trap spectra of Sn-doped α-Ga2O3 grown by halide vapor phase epitaxy on sapphire
Veröffentlicht in APL materials
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The Structure of Domain and Antiphase Boundaries in κ-Phase of Gallium Oxide
Veröffentlicht in Crystallography reports
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Radiation Damage Accumulation in α-Ga2O3 under P and PF4 Ion Bombardment
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Microhardness and Crack Resistance of Gallium Oxide
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Gas-Sensing Properties of In2O3–Ga2O3 Alloy Films
Veröffentlicht in Technical physics letters
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Tribological Studies of α-β-Ga2O3 Layers Paired with a Sapphire Counterface
Veröffentlicht in Technical physics
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Thick α-Ga2O3 Layers on Sapphire Substrates Grown by Halide Epitaxy
Veröffentlicht in Semiconductors (Woodbury, N.Y.)
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Record Thick κ(ε)-Ga2O3Epitaxial Layers Grown on GaN/c-Sapphire
Veröffentlicht in Technical physics
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Thick Epitaxial α-Ga2O3:Sn Layers on a Patterned Sapphire Substrate
Veröffentlicht in Technical physics letters
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