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Physical limitations of polycrystalline thin film photoelectric devices
Veröffentlicht in Thin solid films
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Electrical and photoelectric properties of graded-gap epitaxial Cd xHg 1−xTe layers
Veröffentlicht in Thin solid films
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Zn 3P 2 as infrared-to-ultraviolet photoconverter
Veröffentlicht in Infrared physics
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Tunneling effect in Cd x Hg 1-x Te photodiodes
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Tunnelling spectroscopy of Cd xHg 1− xTe detectors
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Comments on the determination of the absorption coefficient of thin semiconductor films
Veröffentlicht in Thin solid films
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Energy level diagram of high-efficiency Cd xHg 1− xTe Photo-Diodes
Veröffentlicht in Infrared physics
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Temperature shift of the Cd xHg 1− xTe energy gap
Veröffentlicht in Solid state communications
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Absorptivity and photoluminescence of compensated ZnSe:Ga
Veröffentlicht in Solid state communications
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Electrical and photoelectric properties of graded-gap epitaxial CdxHg1−xTe layers
Veröffentlicht in Thin solid films
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The effect of precipitates on electrical properties of ZnSe:Ga
Veröffentlicht in Solid state communications
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16
Tunnelling spectroscopy of CdxHg1−xTe detectors
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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The transport and photoelectric phenomena in graded band-gap semiconductor layers
Veröffentlicht in Physica B + C
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Application of epitaxial graded-gap semiconductor layers as broad range photodetectors
Veröffentlicht in Thin solid films
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19
Tunneling effect in CdxHg1-xTe photodiodes
Veröffentlicht in IEEE transactions on electron devices
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Non-linear electrical effect in graded-electron concentration silicon
Veröffentlicht in Solid state communications
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